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    IPB03N03LA G 全國(guó)供應(yīng)商、價(jià)格、PDF資料
    
	
    型號(hào)：廠商：批號(hào)：封裝：
    
	
    按地區(qū)：全部 | 廣東 | 深圳 | 汕頭 | 上海 | 北京 | 浙江 | 陜西 | 山東 | 江蘇 | 深圳外
    

    

    
	
    IPB03N03LA G詳細(xì)規(guī)格
    類別：FET - 單
    描述：MOSFET N-CH 25V 80A TO-263
    系列：OptiMOS™
    制造商：Infineon Technologies
    FET型：MOSFET N 通道，金屬氧化物
    FET特點(diǎn)：邏輯電平門
    漏極至源極電壓333Vdss444：25V
    電流_連續(xù)漏極333Id4440a025000C：80A
    開(kāi)態(tài)Rds（最大）0a0IdwwwwVgs0a025000C：2.7 毫歐 @ 55A，10V
    Id時(shí)的Vgs333th444（最大）：2V @ 100µA
    閘電荷333Qg4440a0Vgs：57nC @ 5V
    輸入電容333Ciss4440a0Vds：7027pF @ 15V
    功率_最大：150W
    安裝類型：表面貼裝
    封裝/外殼：TO-263-3，D²Pak（2 引線+接片），TO-263AB
    供應(yīng)商設(shè)備封裝：PG-TO263-3
    包裝：帶卷 (TR)
    IPB03N03LA G詳細(xì)規(guī)格
    類別：FET - 單
    描述：MOSFET N-CH 25V 80A TO-263
    系列：OptiMOS™
    制造商：Infineon Technologies
    FET型：MOSFET N 通道，金屬氧化物
    FET特點(diǎn)：邏輯電平門
    漏極至源極電壓333Vdss444：25V
    電流_連續(xù)漏極333Id4440a025000C：80A
    開(kāi)態(tài)Rds（最大）0a0IdwwwwVgs0a025000C：2.7 毫歐 @ 55A，10V
    Id時(shí)的Vgs333th444（最大）：2V @ 100µA
    閘電荷333Qg4440a0Vgs：57nC @ 5V
    輸入電容333Ciss4440a0Vds：7027pF @ 15V
    功率_最大：150W
    安裝類型：表面貼裝
    封裝/外殼：TO-263-3，D²Pak（2 引線+接片），TO-263AB
    供應(yīng)商設(shè)備封裝：PG-TO263-3
    包裝：剪切帶 (CT)
    IPB03N03LA G詳細(xì)規(guī)格
    類別：FET - 單
    描述：MOSFET N-CH 25V 80A TO-263
    系列：OptiMOS™
    制造商：Infineon Technologies
    FET型：MOSFET N 通道，金屬氧化物
    FET特點(diǎn)：邏輯電平門
    漏極至源極電壓333Vdss444：25V
    電流_連續(xù)漏極333Id4440a025000C：80A
    開(kāi)態(tài)Rds（最大）0a0IdwwwwVgs0a025000C：2.7 毫歐 @ 55A，10V
    Id時(shí)的Vgs333th444（最大）：2V @ 100µA
    閘電荷333Qg4440a0Vgs：57nC @ 5V
    輸入電容333Ciss4440a0Vds：7027pF @ 15V
    功率_最大：150W
    安裝類型：表面貼裝
    封裝/外殼：TO-263-3，D²Pak（2 引線+接片），TO-263AB
    供應(yīng)商設(shè)備封裝：PG-TO263-3
    包裝：Digi-Reel®
    

    
	
    IPB03N03LA G供應(yīng)商
    
    
    
    查看更多IPB03N03LA G的供應(yīng)商
    

    

    
	

    


    
	
    
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